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2024新版《陶瓷電容器制造工藝配方精選匯編》

2024新版《陶瓷電容器制造工藝配方精選匯編》

陶瓷電容器和其他電容器相比,具有使用溫度較高,比容量大,耐潮濕性好,介質(zhì)損耗較小,電容溫度系數可在大范圍內選擇等優(yōu)點(diǎn)。廣泛用于電子電路中,用量十分可觀(guān)。

本資料是收錄了國內外著(zhù)名公司、科研單位的最新陶瓷電容器整體設計與生產(chǎn)制造技術(shù)全文資料,工藝配方詳盡,技術(shù)含量高、從事高性能超級電容器產(chǎn)品加工研究生產(chǎn)單位提高產(chǎn)品質(zhì)量、開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品的重要情報資料。

【資料頁(yè)數】827頁(yè) (大16開(kāi) A4紙)
【項目數量】68項
【資料內容】制造工藝及配方
【合訂本】1580元(上、下冊)
【郵寄方式】中通快遞(免郵費) 順豐快遞(郵費自理)
【電子版】1360元(郵件發(fā)送)
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陶瓷電容器和其他電容器相比,具有使用溫度較高,比容量大,耐潮濕性好,介質(zhì)損耗較小,電容溫度系數可在大范圍內選擇等優(yōu)點(diǎn)。廣泛用于電子電路中,用量十分可觀(guān)。

本資料是收錄了國內外著(zhù)名公司、科研單位的最新陶瓷電容器整體設計與生產(chǎn)制造技術(shù)全文資料,工藝配方詳盡,技術(shù)含量高、從事高性能超級電容器產(chǎn)品加工研究生產(chǎn)單位提高產(chǎn)品質(zhì)量、開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品的重要情報資料。

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項目介紹:

1    株式會(huì )社村田制作所優(yōu)秀技術(shù):層疊陶瓷電容器

端面外層部的電介質(zhì)陶瓷層中的Mn的基于激光ICP的峰值強度相對于Ti的基于激光ICP的峰值強度之比即Mn/Ti峰值強度比大于有效部的寬度方向、長(cháng)度方向以及層疊方向的中央部的電介質(zhì)陶瓷層中的Mn的基于激光ICP的峰值強度相對于Ti的基于激光ICP的峰值強度之比即Mn/Ti峰值強度比,并且,在端面外層部的電介質(zhì)陶瓷層中觀(guān)測Ni的基于TEM?EDX的峰值強度。  

 
2    三星電機株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):電介質(zhì)和包括電介質(zhì)的多層電容器

包括:主體,包括堆疊的多個(gè)介電層和多個(gè)內電極,且所述介電層介于所述多個(gè)內電極之間;以及外電極,設置在所述主體的外表面上并且分別連接到所述內電極。所述多個(gè)介電層包括由式BaM1aTi1?xSnxM2bO3(0.008≤x≤0.05、0.006≤a≤0.03并且0.0006≤b<0.006)表示的電介質(zhì),其中,M1包括稀土元素,并且M2包括Mn和V中的至少一種。   


3     廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司優(yōu)秀技術(shù):陶瓷生坯的研磨方法及多層陶瓷電容器的制備方法  

陶瓷生坯為多層陶瓷電容器的陶瓷生坯,包括以下步驟:將所述陶瓷生坯與乙醇的水溶液混合后進(jìn)行第一次研磨得到混合物,所述乙醇的水溶液中乙醇的體積百分含量為20%~70%;除去所述混合物中的乙醇的水溶液后加入水混合后進(jìn)行第二次研磨;及對經(jīng)過(guò)第二次研磨的陶瓷生坯進(jìn)行干燥處理。這種陶瓷生坯的研磨方法,能避免陶瓷生坯崩損或產(chǎn)生裂紋。  


4    太陽(yáng)誘電株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):層疊陶瓷電容器及其制造方法

包括:層疊芯片,其中多個(gè)電介質(zhì)層中的每一個(gè)和多個(gè)內部電極層中的每一個(gè)交替地層疊,并且內部電極層交替地露出至兩個(gè)端面;形成在兩個(gè)端面上的外部電極;其中:當在兩個(gè)端面彼此面對的方向上的端緣的長(cháng)度是EM[μm],并且Mo相對于端緣的主要成分陶瓷的B位元素的濃度是M[atm%]時(shí),滿(mǎn)足關(guān)系“M≥?0.00002×EM+0.0012”,其中,端緣是在層疊芯片中連接到一個(gè)外部電極的內部電極層彼此面對而不夾著(zhù)連接到另一個(gè)外部電極的內部電極層的區域。   


5    陶瓷介質(zhì)材料及其制備方法和應用

以BaTiO3作為主體材料,以燒結助劑、金屬氧化物及稀土元素作為復合摻雜劑,對鈦酸鋇陶瓷基體進(jìn)行改性,并添加燒結助劑以及摻雜材料細化顆粒,控制缺陷及提升晶粒尺寸均勻性,制備出具有高可靠性,穩定電容特性且更易疊層的細晶陶瓷與多層陶瓷電容器。    深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng )新研究院;廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司


6    多層片狀陶瓷電子元器件的制備方法

步驟:S01:原料制備;S02:制取生坯件;S03:生坯件燒結;S04:熟坯件精加工;S05:電極布線(xiàn);S06:多層制備。本發(fā)明中,該多層片狀陶瓷電子元器件的制備方法通過(guò)添加的陶瓷強化劑,可以在原料制備時(shí),增大粉末原料之間的顆粒強度,獲取極高強度的粉末原料,使得粉末原料在手續燒結的處理中,不會(huì )發(fā)生隨意變形甚至破碎的現象,極大的增強了粉末原料的自身穩定性,進(jìn)而提高了電子元器件制備的質(zhì)量,并采用燒結盤(pán)旋轉的燒結方式,使得生坯件的每一個(gè)部位都能夠被完全的燒結成型,確保了生坯件燒結的效率,避免出現燒結不完全的現象。  


7     三星電子株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):陶瓷電介質(zhì)及其制造方法和陶瓷電子組件及電子設備 

陶瓷電介質(zhì)及其制造方法和陶瓷電子組件及電子設備,所述陶瓷電介質(zhì)包括包含鋇(Ba)和鈦(Ti)的塊狀電介質(zhì)、陶瓷納米片、以及所述塊狀電介質(zhì)和陶瓷納米片的復合電介質(zhì),所述陶瓷電子組件包括所述陶瓷電介質(zhì)。  


8    電子科技大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):高溫度穩定性鈦酸鉍鈉基介質(zhì)儲能陶瓷材料及其制備方法

陶瓷材料為Na0.5Bi0.5TiO3?xBaTiO3?ySrTiO3?zZnTa2O6,其中0≤x≤0.1,0.2≤y≤0.5,0≤z≤0.2。介質(zhì)陶瓷材料不僅實(shí)現了高的儲能密度、儲能效率與功率密度,同時(shí)也實(shí)現了其他鈦酸鉍鈉基儲能陶瓷中沒(méi)有的滿(mǎn)足X7R標準的室溫下的溫度穩定性。


9    常州工學(xué)院優(yōu)秀技術(shù):儲能電容器用超低填料兼具高儲能密度的電介質(zhì)材料及其制備方法

采用二氧化硅包覆的二氧化鈦納米帶作為復合填料改性PVDF,在超低填料含量下,二氧化鈦納米帶的大比表面積和高介電常數屬性增強PVDF基復合材料的界面極化的同時(shí),二氧化鈦納米帶外表面包覆寬禁帶的二氧化硅層起到電子限域作用,顯著(zhù)改善了PVDF基復合材料的絕緣特性,在二氧化鈦納米帶復合陶瓷的內外層協(xié)同作用下,綜合提高了儲能特性,使復合材料的擊穿場(chǎng)強達到390kV/mm,儲能密度達到8.86J/cm3,儲能效率高達66.28%。   


10    層疊陶瓷電容器和陶瓷材料粉末

主要組分是陶瓷材料,其中陶瓷材料的主相具有由通式ABO3表示的鈣鈦礦結構,其中陶瓷材料的B位點(diǎn)包括充當施主的元素;其中陶瓷材料的A位點(diǎn)和B位點(diǎn)包括稀土元素,其中,(置換固溶于A(yíng)位點(diǎn)中的稀土元素的量)/(置換固溶于B位點(diǎn)中的稀土元素的量)為0.75以上且1.25以下。    太陽(yáng)誘電株式會(huì )社


11    多層陶瓷電容器用介質(zhì)材料及其制備方法

所述介質(zhì)材料的原料包括100mol的BaTiO3;所述原料還包括CaZrO3;所述BaTiO3與所述CaZrO3的摩爾比為100:(1.0?2.0)。本發(fā)明提供的介質(zhì)材料具有高偏壓穩定性,且符合X7R標準,是一種具有高偏壓穩定性的X7R型介質(zhì)材料;利用該介質(zhì)材料制得的多層陶瓷電容器,適合在還原氣氛中燒結,燒結溫度在1180?1280℃之間,并且,該多層陶瓷電容器具有2000以上的介電常數,溫度特性符合美國EIA標準的X7R特性,同時(shí),其高壓負荷的電容變化率小于30%,顯示具有非常優(yōu)異的抗直流偏壓特性。    山東國瓷功能材料股份有限公司


12    廣東華榮功能材料有限公司以后秀技術(shù):耐高壓陶瓷電容器的介質(zhì)材料

包括鈦鋯酸鋇鈣這一成分,具有以下結構通式:BaxCa1?xTiyZr1?yO3。其采用對原料的煅燒,并且對經(jīng)煅燒后的原料進(jìn)行物理共混,再經(jīng)煅燒,最終制得鈦鋯酸鋇鈣。上述步驟有利于促進(jìn)化合物結構中的分子定向緊密排列,從而化合物可以重新形成規整晶相,大幅度地減少了BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、CaZrO3等化合物晶相結構中的缺陷。所公布的制備方法所制得的耐高壓陶瓷電容器的介質(zhì)材料,具有高耐壓的特性,以及高穩定、高均勻以及高可靠性。   


13     武漢理工大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):多層結構的高穩定性無(wú)機電介質(zhì)非晶薄膜電容器及其制備方法

包括基板、中間層和頂電極層;其中,所述中間層由n層非晶陶瓷薄膜層和(n?1)層電極層交替疊加而成。其制備為:通過(guò)采用溶膠?凝膠法制備非晶陶瓷薄膜,采用磁控濺射法制備電極層交替疊加成多層結構,再將多層結構進(jìn)行退火,即可得到非晶薄膜電容器。該無(wú)機電介質(zhì)非晶薄膜電容器具有高介電常數、儲能密度和高溫度穩定性的優(yōu)點(diǎn),在寬溫度范圍內具有優(yōu)異的介電和溫度穩定性,并有效提高了薄膜電容器的體積效率,符合器件小型化與集成化的需求。  


14    桂林理工大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):電介質(zhì)陶瓷材料及其制備方法

將純度為99.8%無(wú)水碳酸鈉、99%五氧化二鈮、99%碳酸鋇和98.5%氧化鎂原料烘干處理稱(chēng)取倒入球磨罐中,得到混合物;將無(wú)水乙醇、混合物、氧化鋯以1:1:2質(zhì)量比進(jìn)行第一次球磨,烘干過(guò)篩;將第一次球磨后的干粉在800?900℃空氣中預燒4小時(shí)后,研磨過(guò)篩;將預燒后的粉料、氧化鋯與無(wú)水乙醇以1:2:1的質(zhì)量比進(jìn)行第二次球磨,烘干;將第二次球磨烘干后的粉體加入5wt%聚乙烯醇進(jìn)行造粒,用模具和脫模液壓機得到成形的陶瓷塊體;將陶瓷塊體在550℃下排膠4小時(shí),燒結得到電介質(zhì)陶瓷材料。制備的固溶體陶瓷材料,燒結溫度較低,儲能性能優(yōu)異,具有很大的商業(yè)應用前景。 

 

15     陜西科技大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):高功率密度的Sn摻雜高熵鈣鈦礦氧化物陶瓷材料及其制備方法

制備方法為:首先采用了Na2CO3、Bi2O3、BaCO3、SrCO3、CaCO3、TiO2和SnO2為原料,按化學(xué)式(Na0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Ca0.2)Ti1?xSnxO3配比取料,對粉體進(jìn)行濕法球磨混合,干燥后的粉體在900℃下預燒2h,再經(jīng)過(guò)二次球磨、過(guò)篩和成型,最終在1250℃溫度下燒結2h得到了單相的高熵鈣鈦礦氧化物陶瓷材料。本發(fā)明所制備的高熵陶瓷材料制備工藝簡(jiǎn)單,制作成本低,通過(guò)選擇適當的x值,可使放電儲能密度達到1.74J/cm3,同時(shí)功率密度達51.4MW/cm3,提供了一種新的無(wú)鉛儲能材料基體。  


16    廣東芯晟電子科技有限公司優(yōu)秀技術(shù):?jiǎn)螌犹沾呻娙萜骶Ы鐚影雽w陶瓷材料及其制備方法

原料制成:SrCO360~69%,TiO230~38%,添加劑0.2~3%;其中,所述添加劑為ZnO、CaCO3、CuO、La2O3、Li2CO3、B2O3、SiO2和Bi2O3中的一種或多種組合。本發(fā)明還涉及該材料的制備方法以及利用該材料制作的單層陶瓷電容器。所述單層陶瓷電容器晶界層半導體陶瓷材料,不含鎘和鉛等重金屬,具有對環(huán)境污染少,介電常數高等優(yōu)點(diǎn)。   


17    高儲能、高效率的鐵酸鉍-鈦酸鍶陶瓷及制備方法

通過(guò)將MnO2添加到0.6BiFeO3?0.4SrTiO3中,通過(guò)球磨、烘干、壓塊、過(guò)篩、冷等靜壓和并進(jìn)行埋燒處理得到0.6BiFeO3?0.4SrTiO3?xwt%MnO2陶瓷樣品。本發(fā)明提供的0.6BiFeO3?0.4SrTiO3?xwt%MnO2無(wú)鉛反鐵電體陶瓷材料,有效的抑制了Bi的揮發(fā)和解決了鐵酸鉍基陶瓷容易出現第二相和燒結不致密的問(wèn)題,在理論上能夠保證具有較好的儲能性能,且制備工藝簡(jiǎn)單,重復性較好,綠色環(huán)保,提供了一種新的無(wú)鉛的儲能材料基體。  


18    電介質(zhì)薄膜介電性能調控方法

該方法首先制備聚多巴胺包覆鈦酸鋇核殼結構顆粒;進(jìn)一步在惰性氣體下高溫煅燒核殼結構顆粒,使殼層聚多巴胺碳化形成碳包覆層;最后將碳包覆的鈦酸鋇雜化顆粒與P(VDF?CTFE)基體復合得到電介質(zhì)薄膜。該方法通過(guò)引入不同電導率界面層,產(chǎn)生不同程度的界面極化效應,在低的填料添加量下提高了介電常數,同時(shí)保持較低的介電損耗,工藝簡(jiǎn)單,成本低廉,易于實(shí)現。


19    北京工業(yè)大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):鈦酸鉍鈉基四元系高溫穩定的高介無(wú)鉛陶瓷電容器介質(zhì)材料及制備 

主要應用于多層陶瓷電容器等電子無(wú)源器件領(lǐng)域。根據表達式(1?x)(0.64Na0.5Bi0.5TiO3?0.16K0.5Bi0.5TiO3?0.2SrTiO3)?xBi(Mg2/3Nb1/3)O3,x=0.10,按化學(xué)計量比稱(chēng)取Bi2O3,K2CO3,Na2CO3,TiO2,SrCO3,Nb2O5,Mg(OH)2作為原料。將原料球磨混合后烘干,將粉體高溫煅燒后進(jìn)行二次球磨,烘干后研磨成粉狀,以聚乙烯醇縮丁醛酒精溶液作粘結劑造粒,然后過(guò)120目篩壓制成型,排膠,隨后在高溫爐空氣氣氛中燒結,隨爐自然冷卻至室溫,即可。   


20    清華大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):適用于超薄層賤金屬內電極多層陶瓷電容器的X7R/X8R介質(zhì)粉體及制備方法

具有核?殼結構的陶瓷粉體的核部為鈦酸鋇粉體或鈦酸鋇鈣粉體,殼部為復合氧化物包覆層,復合氧化物包覆層采用的氧化物包括BaO、CaO、SiO2、Y2O3、MgO、MnO2、Al2O3和Re2O3中至少一種,Re表示鑭系元素。本發(fā)明提供了晶粒尺寸30~120nm的摻雜改性介質(zhì)粉體,并以此制備介質(zhì)層厚度≤1μm的超薄層賤金屬內電極多層陶瓷電容器。提供的介質(zhì)粉體性能優(yōu)異,其室溫介電常數(圓片樣品)可達1500~3000,介電損耗<1%,絕緣電阻達到1012Ω·cm,溫度特性穩定,滿(mǎn)足X7R/X8R的性能要求。燒結后瓷體的平均晶粒尺寸不超過(guò)130nm,粒度均勻,可靠性高,適用于超薄介質(zhì)層(≤1μm)多層陶瓷電容器的生產(chǎn)。   


21    高壓陶瓷脈沖電容器、介質(zhì)材料及其制備方法

用于高壓陶瓷脈沖電容器的介質(zhì)材料,包括以下重量份的原料:100重量份的SrTiO3、35?60重量份的SrZrO3、10?20重量份的BiX、0.05?2重量份的MnCO3、0.4?2重量份的MgO、0.5?3重量份的Zn2SiO4、0.5?3.5重量份的BaB2O4,BiX為Bi2O3與TiO2或Bi2O3與ZrO2固相合成的化合物,通過(guò)限制介質(zhì)材料的具體組成,以SrTiO3為基礎,與SrZrO3、Zn2SiO4、BiX配合,通過(guò)引入Zn2SiO4并限定SrTiO3、SrZrO3、Zn2SiO4、BiX的加入量以限定SrTiO3、SrZrO3、Zn2SiO4、BiX之間的配比及BiX的具體組成,有效將介質(zhì)材料的介電常數控制在250±30的范圍,適當降低損耗的同時(shí)將電容溫度系數控制在?2500~?1600ppm/K的范圍,以使制得的高壓陶瓷脈沖電容器可用于設計(?55℃?125℃)溫度范圍內的高壓儲能電容器。


22    中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質(zhì)陶瓷及制備方法

優(yōu)點(diǎn):采用多鈦鋇體系BaTi4O9和硅酸鋇鋅(BaZn)SiO3作為主體基相,CuZn氧化化合物作為降溫燒結助劑;CuZn氧化化合物燒結助劑可起到溫度系數調制以及降低燒成溫度的效果,可有效降低燒結溫度,獲得很低的損耗,實(shí)現可調節的材料電容溫度系數:介電常數20±5,介電損耗值<0.05%,電容溫度系數<±30ppm/℃。介質(zhì)陶瓷體系介電性能優(yōu)異,原料無(wú)毒且價(jià)格低廉,制備工藝簡(jiǎn)單,在LTCC應用領(lǐng)域具有廣泛應用前景。   


23    太陽(yáng)誘電株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):層疊陶瓷電容器和電介質(zhì)材料

包括交替層疊的電介質(zhì)層和內部電極層,電介質(zhì)層主要由BaTiO3構成,內部電極層交替地露出于層疊芯片的彼此相對的兩個(gè)端面。在電容部中,Zr/Ti比為0.02以上且0.10以下。在電容部中,Ba/Ti比大于0.900且小于1.010。在電容部中,Eu/Ti比為0.005以上且0.05以下。在電容部中,Mn/Ti比為0.0005以上且0.05以下。一種或多種Eu以外的稀土元素或稀土元素的總量小于Eu的量。   


24     深圳市宇陽(yáng)科技發(fā)展有限公司優(yōu)秀技術(shù):多層片式陶瓷電容器及其制作方法 

步驟:將第一陶瓷漿料涂覆在基材上,形成電介質(zhì)膜片;在所述電介質(zhì)膜片表面印刷導電漿料形成內電極;將第二陶瓷漿料噴涂或打印在電介質(zhì)膜片的空白區域,形成陶瓷基片;將所述陶瓷基片以?xún)入姌O錯位的方式堆疊并壓合,形成巴塊;將所述巴塊按預定尺寸切割成芯片,再經(jīng)排膠、燒結及端頭處理,形成多層片式陶瓷電容器。本發(fā)明解決了現有技術(shù)中多層片式陶瓷電容器的膜片層與層之間容易產(chǎn)生分層、開(kāi)裂、電極彎曲等不良情況,進(jìn)而導致產(chǎn)品報廢、可靠性下降的問(wèn)題。  


25    用于電場(chǎng)治療腫瘤的陶瓷電極的陶瓷材料及其制備方法

步驟:采用固相法合成a[0.67Bi0.995Ce0.005FeO3?0.33BaTiO3]?b[Sr1?xPbxTi1?yZryO3]?c[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]粉體;其中,0<a<0.06,0.05<b<0.18,a+b+c=1;0.6≤x≤0.8,0<y<0.2;對粉體進(jìn)行細磨,添加粘結劑造粒并壓制成型以得到素坯;排除素坯中的有機物質(zhì);對素坯進(jìn)行燒結,獲得陶瓷材料。提供了一種采用該制備方法制備的陶瓷材料,該陶瓷材料具有高介電常數和低損耗的特點(diǎn),適合制作導通電場(chǎng)但阻斷傳導電流的陶瓷電容電極。    北京國械堂科技發(fā)展有限責任公司


26    太陽(yáng)誘電株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):電介質(zhì)、電子器件和層疊陶瓷電容器

電介質(zhì)包括具有雙晶結構的核?殼粒子,其中核?殼粒子的雙晶結構的界面從一側的殼延伸,穿過(guò)核,并延伸到另一側的殼。根據電介質(zhì)、電子器件和層疊陶瓷電容器可具有改善的可靠性。


27    釓鋇摻雜鎳酸鹽陶瓷及其制備方法和應用

釓鋇摻雜鎳酸鹽陶瓷的化學(xué)式為Gd2?xBaxNiO4,其中,0.1≤x≤0.6;所述釓鋇摻雜鎳酸鹽陶瓷的制備方法包括如下步驟:(1)將釓源、鋇源和鎳源原料與氧化鋁球和無(wú)水乙醇混合,進(jìn)行球磨,得到粉體;(2)將步驟(1)得到的粉體過(guò)篩,進(jìn)行焙燒;(3)向步驟(2)焙燒后得到的粉體中加入聚乙烯醇(PVA)水溶液,研磨造粒,過(guò)篩,壓制成陶瓷胚體,排膠,得到排膠后的陶瓷胚體;(4)將步驟(3)得到的陶瓷胚體進(jìn)行燒結,得到釓鋇摻雜鎳酸鹽陶瓷。所述操作方便,合成工藝簡(jiǎn)單,制備成本低;所述釓鋇摻雜鎳酸鹽陶瓷可用作電介質(zhì)陶瓷,例如用作電容器(如儲能電容器)材料使用。    中國科學(xué)院福建物質(zhì)結構研究所


28    低應力陶瓷電容器的制造方法

包括:使用陶瓷粉和內電極漿料制備陶瓷層疊基板;切割所述陶瓷層疊基板,得到至少兩個(gè)陶瓷層疊體;對每一所述陶瓷層疊體進(jìn)行排膠操作,得到排膠的陶瓷層疊體;將每一所述排膠的陶瓷層疊體進(jìn)行高溫燒結操作,得到燒結后的陶瓷層疊體;其中,所述高溫燒結操作包括升溫保溫段,所述升溫保溫段的升溫速率為40~200℃/min。本發(fā)明還公開(kāi)了。能夠減少陶瓷電容器的內部應力,同時(shí)縮短燒結時(shí)長(cháng),增加生產(chǎn)效率。


29    太陽(yáng)誘電株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):多層陶瓷電容器及其制造方法  

包括:多層結構,其中多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層中的每一個(gè)和多個(gè)內部電極層中的每一個(gè)交替堆疊,多個(gè)內部電極層交替暴露于多層結構的第一邊緣面和第二邊緣面,其中,在覆蓋多個(gè)內部電極層朝向第一邊緣面和第二邊緣面之外的兩個(gè)側面延伸的邊緣部分的側部邊緣區域中,當Da是側部邊緣區域中距多個(gè)內部電極層邊緣20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑,并且Db是距側部邊緣區域的表面層20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑時(shí),滿(mǎn)足1.5≤Db/Da≤10.0。 


30   西安理工大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):超寬穩定溫區的高溫高介電電容材料及其制備方法

電容材料的化學(xué)組成為0.99[(1?x)Bi0.5Na0.5TiO3?xNaNbO3]?0.01Sr0.8Na0.4Nb2O6,其中x=0.25電容材料的制備過(guò)程為先對原始粉料進(jìn)行烘干處理,接著(zhù)稱(chēng)取原始粉料;然后對原始材料進(jìn)行一次球磨后進(jìn)行預燒,接著(zhù)二次球磨后等靜壓成型,最后在高溫爐空氣氣氛中燒結。電容材料在室溫下的介電常數ε′為1250,且以室溫下的介電常數為基準,介電常數在此基準上下波動(dòng)15%對應的溫區為?90℃~383℃,介電損耗小于0.02對應的溫區為?63℃~>357℃。同時(shí)滿(mǎn)足介電常數和損耗的穩定溫區為?63℃~>357℃。該種電容材料制備原料來(lái)源廣泛,制備所得陶瓷介電性能優(yōu)異,制備工藝簡(jiǎn)單,成本低且重復性好。 


31      太原師范學(xué)院優(yōu)秀技術(shù):正溫度系數陶瓷介質(zhì)材料及其制備方法

為解決目前陶瓷介質(zhì)材料的電容溫度系數在?55℃~150℃范圍內有正有負,不斷變化的問(wèn)題,提供一種正溫度系數陶瓷介質(zhì)材料及其制備方法,由質(zhì)量百分比為80?90%的Na0.2Bi0.6ZrO3和10?20%的Yb2O3組成。具備介電常數高、介電損耗低、正溫度系數的特征。Na0.2Bi0.6ZrO3材料具有鈣鈦礦結構,它在?55℃~150℃范圍內沒(méi)有居里峰,摻入Yb2O3能夠使Na+和Bi3+穩定固溶,使其在?55℃~150℃范圍內具有正電容溫度系數。 


32    同濟大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):高儲能密度和充放電性能的復合材料及其制備方法

該復合材料的化學(xué)式為(Bi0.32Sr0.42Na0.2□0.06)TiO3/MgO,其中□表示空位。與現有技術(shù)相比,不含鉛,是一種環(huán)境友好型材料,與反鐵電材料和其他弛豫性材料相比較,公開(kāi)的體系具有很大的儲能密度(儲能密度2.09J/cm3)和充放電性能(電流密度~1671A/cm2,功率密度~150MW/cm3),并且具有極短的放電時(shí)間(~0.15μs)。特別地,該種材料的儲能密度和充放電特性具有很好的溫度穩定性。這些優(yōu)良的性質(zhì)有利于脈沖式電容器的應用,尤其是高溫狀態(tài)下的電容器的應用。   


33     三星電機株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):多層陶瓷電子組件及其制造方法、嵌有其的印刷電路板   

包括:主體,具有第一表面至第六表面,并包括多個(gè)介電層以及交替地設置并分別通過(guò)第三表面和第四表面暴露的多個(gè)第一內電極和多個(gè)第二內電極;以及第一外電極和第二外電極,分別設置在主體的第三表面和第四表面上,第一外電極包括連接到第一內電極的第一連接部以及第一帶部,第二外電極包括連接到第二內電極的第二連接部以及第二帶部,第一帶部和第二帶部分別從第一連接部和第二連接部延伸到主體的第一表面和第二表面中的至少一個(gè)表面的一部分。外電極分別包括導電層和鍍層,并且外電極的端部的表面是平坦的。  


34    陶瓷超細粉體流延超薄介質(zhì)漿料及其成型的陶瓷薄膜 

陶瓷超細粉體流延超薄介質(zhì)漿料,基于鈦酸鋇超細粉體的深加工進(jìn)行開(kāi)發(fā),通過(guò)選取適宜的有機溶劑、分散劑、表面活性劑、增塑劑、消泡劑和黏合劑形成分散性和流延穩定性均較優(yōu)的漿料體系,漿料黏度十分穩定,可滿(mǎn)足流延高質(zhì)量的2μm及以下超薄介質(zhì)膜片及相應的片式多層陶瓷電容器的性能要求。  


35    三星電機株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):陶瓷電子組件及制造陶瓷電子組件的方法 

所述介電層包括多個(gè)介電晶粒,并且所述多個(gè)介電晶粒中的至少一個(gè)介電晶粒具有核?雙殼結構,所述核?雙殼結構具有核和雙殼。所述雙殼包括圍繞所述核的至少一部分的第一殼和圍繞所述第一殼的至少一部分的第二殼。所述雙殼包含不同類(lèi)型的稀土元素R1和R2,并且R2S1/R1S1為0.01或更小,R2S2/R1S1為0.5至3.0,其中,R1S1表示包含在所述第一殼中的R1的濃度,并且R2S1和R2S2分別表示包含在所述第一殼中的R2的濃度和包含在所述第二殼中的R2的濃度。   


36    株式會(huì )社村田制作所優(yōu)秀技術(shù):陶瓷電子部件的制造方法以及陶瓷電子部件 

能夠在由包含鈦的金屬氧化物構成的陶瓷坯體的表面的任意的部位形成電鍍電極。陶瓷電子部件的制造方法具備如下的工序:準備含有包含鈦的金屬氧化物的陶瓷坯體(10);向陶瓷坯體的表層部的一部分照射峰值功率密度1×106W/cm2~1×109W/cm2、頻率500kHz以下的脈沖激光,對金屬氧化物進(jìn)行改質(zhì)來(lái)形成低電阻部;以及在低電阻部上通過(guò)電解電鍍處理而形成電極。BaTiO3這樣的包含鈦的金屬氧化物通過(guò)基于激光照射的加熱而生成O缺陷,形成n型半導體。該半導體部分的電阻值比金屬氧化物低,因此能夠通過(guò)電解電鍍而使電鍍金屬選擇性地析出。   


37    介電膜及其制備方法  

獲得所述第一材料和所述第二材料的厚度比以及所述第一材料和所述第二材料之間的界面的漏電電荷面密度;制備由所述厚度比的所述第一材料和所述第二材料形成的介電膜。本發(fā)明的介電膜相比于原始薄膜有效的改善了其漏電表現,降低了能量損耗并提升了擊穿電場(chǎng)從而提升了儲能特性。    內蒙古大學(xué)


38    桂林理工大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):X7R型陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法

將碳酸鋇、碳酸鍶、三氧化二釤、三氧化二鐵和五氧化二鈮先球磨,細化原料,根據名義化學(xué)式按化學(xué)計量比配料,經(jīng)預燒、二次球磨等工序,利用固相反應過(guò)程,最終制得X7R型陶瓷電容器介質(zhì)材料Ba2Sr2SmFe0.5Nb9.5O30。方法可獲得優(yōu)良的溫度穩定性介電陶瓷材料,滿(mǎn)足EIAX7R標準;本發(fā)明方法簡(jiǎn)單,節能減排,成本適中,適合批量生產(chǎn)。   


39    廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司優(yōu)秀技術(shù):多層陶瓷電容器及其制備方法

在陶瓷膜上噴涂有機納米防護液形成有機納米防護層,然后在涂有有機納米防護層上絲印內電極。本發(fā)明所制備得到的多層陶瓷電容器,有機納米保護層可以防止內電極漿料中的溶劑侵蝕介質(zhì)膜,防止多層陶瓷電容器的短路不良率增加和可靠性惡化。由于有機納米保護層具有較低的表面能,可使介質(zhì)膜起到防水、防溶劑、防塵的作用,防止多層陶瓷電容器的短路不良率增加和可靠性惡化。有機納米保護層能夠增加介質(zhì)膜表面的光滑度,降低摩擦系數,起到防靜電的作用,防止介質(zhì)膜在疊層過(guò)程中翹起翻折,從而防止多層陶瓷電容器的短路不良率增加。   


40   北京工業(yè)大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):高溫穩定高介低損耗高絕緣無(wú)鉛陶瓷電容器材料及制備

化學(xué)式(1?x)(0.8Bi1/2Na1/2TiO3?0.2Bi1/2K1/2TiO3)?xBi(Mg2/3Nb1/3)O3,x=0.2?0.3,以Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、TiO2、Nb2O5和4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O為原料。先球磨混料,然后在900℃高溫下煅燒3h,再進(jìn)行二次球磨,烘干后研磨成粉狀,以聚乙烯醇縮丁醛酒精溶液作粘結劑造粒,過(guò)篩壓制成型,于650℃下保溫4h排出膠體,在空氣氣氛中1050℃進(jìn)行燒結,保溫3h,隨爐自然冷卻至室溫。操作方法簡(jiǎn)單,制備周期短,成本低。   


41     武漢理工大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):XnR寬溫高穩定的BaTiO3基介質(zhì)陶瓷及其制備方法  

該介質(zhì)材料的化學(xué)組成為(1?y)BaTi1?xCaxO3?x?yBi(Zn0.5Ti0.5)O3(x=0.04~0.05,y=0.1~0.15)陶瓷。該介質(zhì)陶瓷具有性能優(yōu)良、成本低,在寬溫范圍內的高穩定性等特點(diǎn),尤其當x=0.04~0.05,y=0.15時(shí),制得滿(mǎn)足X9R特性的陶瓷電容器介質(zhì)材料。  


42    太陽(yáng)誘電株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):多層陶瓷電容器和多層陶瓷電容器的制造方法 

包括:多層結構,其中多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層中的每一層和多個(gè)包括陶瓷共用材料的內部電極層中的每一層交替層疊,其中共用材料中的Mo濃度小于陶瓷電介質(zhì)層中陶瓷晶粒中的Mo濃度。   


43    鈦酸鉍鈉基高溫電容器介質(zhì)陶瓷的制備方法

發(fā)明原料來(lái)源廣泛,成本低,采用冷等靜壓成型技術(shù)結合傳統固相反應法可實(shí)現鈦酸鉍鈉基高溫電容器介質(zhì)陶瓷的制備,制備所得的陶瓷致密、晶粒尺寸均勻且介電性能優(yōu)異,制備工藝簡(jiǎn)單,成本低且重復性好。    西安理工大學(xué)


44    高能量密度的鈦酸鍶鋇基介電薄膜電容器及其制備方法  

高儲能密度的無(wú)鉛鈦酸鍶鋇基介電薄膜電容器,按照介電電容器的結構組成依次分為:薄膜沉積用襯底材料,厚度為20?60nm的氧化物底電極過(guò)渡層材料,不同Ba/Sr比的BaxSr1?xTiO3作為介電薄膜材料以及20nm左右的上電極鉑金材料(Pt)。本發(fā)明所采用的介電薄膜材料為環(huán)境友好型無(wú)鉛BaxSr1?xTiO3基材料,制備的鈦酸鍶鋇基介電薄膜電容器儲能密度高,擊穿強度大,具有優(yōu)異的溫度穩定性和耐疲勞特性,原材料價(jià)格低廉易得,有利于大規模商業(yè)應用。本發(fā)明還公開(kāi)了上述無(wú)鉛鈦酸鍶鋇基介電薄膜電容器的制備方法。   


45    太陽(yáng)誘電株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):多層陶瓷電容器以及多層陶瓷電容器的制造方法 

包括:陶瓷多層結構,其具有交替層疊的陶瓷電介質(zhì)層和內部電極層,所述內部電極層主要由鐵族之外的過(guò)渡金屬構成,所述內部電極層的端緣交替地露出于第一端面和第二端面;以及設置在第一端面和第二端面上的一對外部電極,其中外部電極包括基底導電層和第一鍍膜,所述基底導電層包括小于7重量%的玻璃,并且主要由鐵族之外的過(guò)渡金屬或貴金屬構成,而所述第一鍍膜覆蓋基底導電層,厚度為基底導電層的厚度的一半或更大,并且主要由鐵族之外的過(guò)渡金屬構成。   


46    桂林理工大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):X8R型陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法  

該材料由主料和添加劑組成:主料為(1?x?y)(Sr0.7Bi0.2)TiO3+x(K0.5Nd0.5)TiO3+yBaZrO3(0.3≤x≤0.5,0.1≤y≤0.2,x、y為摩爾分數),重量比為100?200份,添加劑為KTaO3、MnO2、Nb2O5、Ta2O5中的一種或兩種,重量比為1?5份,采用固相反應法制備而成。該材料滿(mǎn)足X8R要求,室溫下1kHz介電常數1973—2413,損耗1.09?2%,絕緣強度2.8x1010?6.5x1011歐姆,?55℃到150℃電容變化率2.5?5.3%,原料來(lái)源廣泛,重復性強,適合推廣使用。   


47    一種射頻片式多層陶瓷電容器的制備方法  

解決了現有鎳電極片式多層陶瓷電容器無(wú)法滿(mǎn)足較高頻率下工作的性能問(wèn)題,同時(shí)解決了銀/鈀片式多層陶瓷電容器采用貴金屬材料為內電極與端電極成本高問(wèn)題。  


48    積層陶瓷電容器及其制造方法

該積層陶瓷電容器的基部包括陶瓷誘電體及成型于陶瓷誘電體內的多個(gè)內部電極,內部電極的各一側邊分別設有延伸至露出基部的二側邊的內部電極端部,而供基部二側邊與各內部電極一側電極端部外部,分別成型第一外部電極,再于二側第一外部電極外部成型第二外部電極后,使基部二側分別成型外部電極層的第一及第二外部電極的電極層,且第一外部電極是與基部共同燒結成型,該第二外部電極為金屬粉末及樹(shù)脂材料所成型,達到避免外部電極層選用玻璃質(zhì)成分時(shí)發(fā)生擴散或近一步防止后續電鍍時(shí)電鍍液侵入基部或陶瓷誘電體內。    禾伸堂企業(yè)股份有限公司


49    陶瓷電容器及其加工方法

公開(kāi)了一種陶瓷電容器加工方法。本發(fā)明提供的陶瓷電容器及其加工方法,通過(guò)對陶瓷介質(zhì)基體的雙面進(jìn)行加工,使其獲得能夠增加表面面積的表面加工部,比表面積增加,有效提升了陶瓷電容器的容值。    廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司


50    多層陶瓷電容器及其制備方法 

能防止層疊體中的助燒成分的過(guò)度揮發(fā),使燒結后得到的陶瓷體均勻致密、一致性好;輔燒顆粒的制備經(jīng)過(guò)壓合的步驟,故密度較大,燒結時(shí)能夠為層疊體提供足夠的局部氣氛;輔燒顆粒體積小并且形狀不規則,因此將輔燒顆粒與層疊體混在一起時(shí),輔燒顆粒與層疊體無(wú)法形成較大面積的接觸,從而燒結后的陶瓷體不易與輔燒顆粒粘連;可以對體積較小的層疊體進(jìn)行排粘,層疊體中的粘合劑排除得比較徹底,陶瓷體的致密度和介電性能較好。   


51   三星電機株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):多層陶瓷電子組件和多層陶瓷電子組件封裝件

第一外電極和第二外電極,分別設置在陶瓷主體的第一外表面和第二外表面上,第一外電極包括具有與陶瓷主體的第一外表面接觸的至少一部分的第一基礎電極層以及設置為覆蓋第一基礎電極層的第一鍍層,第二外電極包括具有與陶瓷主體的第二外表面接觸的至少一部分的第二基礎電極層以及設置為覆蓋第二基礎電極層的第二鍍層;以及防水層,被設置為覆蓋第一鍍層和第二鍍層的兩個(gè)外側表面以及陶瓷主體的表面。


52    清華大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):鐵酸鉍基三元固溶體介電薄膜材料及其制備方法 

該介電薄膜材料的化學(xué)成分通式為(1?x?y)BiFeO3?xBaTiO3?ySrTiO3,其中,x、y為摩爾分數,且0<x<1,0<y<1,0<x+y<1。其制備方法是將Bi2O3、Fe2O3、BaCO3、SrCO3和TiO2原料按選定的化學(xué)計量比混合得到原料粉體,對原料粉體進(jìn)行預燒處理,得到陶瓷胚體,然后對胚體進(jìn)行埋燒,得到陶瓷靶材,最后對陶瓷靶材進(jìn)行脈沖激光沉積和退火處理,即可得到所述的鐵酸鉍基三元固溶體介電薄膜材料。實(shí)驗證明,該材料其擊穿場(chǎng)強可達3.0~5.3MV/cm,儲能密度可達112J/cm3,儲能效率約80%;是一種具有較大介電常數、較小的介電損耗、強極化、高擊穿和高儲能密度等優(yōu)異性質(zhì)且環(huán)境友好的新型無(wú)鉛介電材料。   


53    寬溫區介電穩定性和高儲能密度的鈮酸銀基反鐵電材料及其制備方法

將預制粉料研磨并過(guò)篩得到篩選粉料,然后向篩選粉料中加入聚乙烯醇溶液,混合均勻得到造粒后的粉料;將造粒后的粉料靜置,然后放入模具中,壓成坯件;將坯件在純氧條件下進(jìn)行燒結,燒結結束后冷卻,出爐得到燒結陶瓷片;將燒結陶瓷片打磨后晾干,在其上下表面涂覆銀漿,然后煅燒,煅燒后冷卻,即得到寬溫區介電穩定性和高儲能密度的鈮酸銀基反鐵電材料。 


54    寬溫度穩定性的高儲能密度無(wú)鉛反鐵電陶瓷材料的制備方法

將坯件在純氧條件下進(jìn)行一次燒結,然后冷卻出爐;然后在純氧條件下進(jìn)行二次燒結,然后冷卻出爐;打磨后晾干,在其上下表面涂覆銀漿,然后煅燒,煅燒后冷卻,即得到高儲能密度無(wú)鉛反鐵電陶瓷材料。本發(fā)明易于操作、重復性好,可以應用于對溫度穩定性有高要求的高功率脈沖電容器上,具有重大的經(jīng)濟價(jià)值。 


55    制造多層陶瓷電容器的方法及多層陶瓷電容器

在包括內電極、介電層和外電極的多層陶瓷電容器的表面上形成防水涂層;以及去除形成在所述外電極的表面上的防水涂層的部分,其中,所述外電極具有在厚度方向上彼此相對的第一表面和第二表面、在寬度方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及在長(cháng)度方向上相對的第五表面和第六表面。在制造多層陶瓷電容器的方法和由所述方法制造的多層陶瓷電容器中,可改善陶瓷主體和外電極之間的接合處的耐濕性并且可提供優(yōu)異的基板安裝性能。  


56    江蘇大學(xué)優(yōu)秀技術(shù):低溫燒結的巨介陶瓷電容器介質(zhì)及其制備方法 

低溫燒結、巨介、電容溫度變化率小的陶瓷電容器介質(zhì)。配方組成包括:CaCu3Ti4O1288~96wt.%,(Ba0.65Sr0.35)TiO30.01~7.0wt.%,Bi2WO60.01~6wt.%,Nd2O30.01~0.6wt.%,SiO2?Li2O?B2O3玻璃粉(ZLB)0.1~4wt.%,BiMnO30.01~0.5wt.%,(Li1/2Bi1/2)TiO30.5~4wt.%。它采用電容器陶瓷普通化學(xué)原料,制備得到無(wú)鉛、無(wú)鎘的巨介、電容溫度變化率小的陶瓷電容器介質(zhì),還能大大降低電容器陶瓷的燒結溫度。   


57    南京匯聚新材料科技有限公司優(yōu)秀技術(shù):高機械強度電容器及其制備方法  

選用大中小的鋯球加速其研磨速度,將粒度控制于≦0.4μm,再通過(guò)氣流式集塵機將粒徑大小相似集中,去除過(guò)大或過(guò)小的粒徑;粉末制作成陶瓷介質(zhì)層,經(jīng)由機械強度測試,包含抗折、扳彎測試;所述的設計以在不影響電氣特性為前提下,仍可維持高容值,制作出一種高機械強度電容器;制作成高強度的電容器同時(shí),并有抗高破壞電壓表現;本發(fā)明大幅提高電容器的機械強度系數,實(shí)現了高容值并且抗高破壞電壓的產(chǎn)品。   


58    三星電機株式會(huì )社優(yōu)秀技術(shù):多層陶瓷電子組件和介電陶瓷組合物 

多層陶瓷電子組件包括:陶瓷主體,包括介電層以及設置在介電層上的多個(gè)第一內電極和多個(gè)第二內電極以彼此面對,且介電層中的每個(gè)介于第一內電極與第二內電極之間;以及第一外電極和第二外電極,設置在陶瓷主體的外表面上,并且分別電連接到第一內電極和第二內電極,其中,介電層包括介電陶瓷組合物,所述介電陶瓷組合物包括由z(Ba(1?x)Cax)TiO3?(1?z)BaTi2O5表示的基體材料主要成分,所述基體材料主要成分包括由(Ba(1?x)Cax)TiO3表示的第一主要成分和由BaTi2O5表示的第二主要成分,0.7≤z≤0.8且0≤x<0.1。   


59    高介電常數的多層陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法

所述介質(zhì)材料的組成化學(xué)式為(1?n)Ba1?yCayTi1?xZrxO3?n(Na0.52K0.48)1?mLimNbO3,其中0≤x≤0.05,0≤y≤0.05,0<m≤0.06,0.04≤n≤0.2。所述的可用于多層陶瓷電容器的介質(zhì)材料具有良好的溫度穩定性,高的介電常數,低的介電損耗和高的技術(shù)可靠性。    中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所


60    陶瓷電容器   

在所述臺階狀管式陶瓷絕緣介質(zhì)的內孔壁設有內電極,在所述臺階狀管式陶瓷絕緣介質(zhì)的外圓壁設有外電極;在所述小圓管的端頭開(kāi)設有第一環(huán)狀凹槽,所述第一環(huán)狀凹槽與所述小圓管的空腔相通;和/或在所述大圓管的端頭開(kāi)設有第二環(huán)狀凹槽,所述第二環(huán)狀凹槽與所述大圓管的空腔相通。安裝更加方便且安裝效果更加理想,能夠得到更廣泛的應用。


61    廣州天極電子科技有限公司優(yōu)秀技術(shù):三維結構陶瓷電容器及其制備方法

步驟:將半導體陶瓷粉末流延膜通過(guò)熱壓成型為生坯片;在所述生坯片上沖出通孔;把未沖孔的所述生坯片和沖孔后的所述生坯片疊放在一起,分別通過(guò)熱壓和靜水壓形成成型坯片;將所述成型坯片放入還原氣氛中燒結,得到半導化陶瓷片;對所述半導化陶瓷片進(jìn)行表面氧化;將表面氧化后所述半導化陶瓷片未沖孔的一面研磨,去除表面氧化絕緣層;對研磨后的所述半導化陶瓷片兩面進(jìn)行金屬化,得到三維結構表面層型半導體陶瓷電容器。采用本發(fā)明的方法或電容器,可以極大地增大電容器容量。   


62    多層陶瓷電容器及制造多層陶瓷電容器的方法  

金屬或金屬氧化物設置在所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部中的每個(gè)中,所述金屬或所述金屬氧化物的直徑與所述介電層的厚度的比為0.8或更小。


63    一種X8R陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法

所述的主成分是SrBaxCa1?xTi2O6、MgTiO3、Bi2Ti2O7和CeZr2O6形成的混合物,所述的改性摻雜劑是Al2O3、MnCO3、Y2O3、Dy2O3、SiO2、ZnO中的兩種或兩種以上。本發(fā)明所述的X8R陶瓷電容器介質(zhì)材料的介電常數達到2000左右,介質(zhì)損耗小于等于0.25%,溫度特性變化率(?55~150℃)小于±15%,具有介電常數高、介質(zhì)損耗低、使用環(huán)境溫度范圍寬的特點(diǎn),是一種性能優(yōu)越的瓷介電容器陶瓷介質(zhì)材料。    廈門(mén)三行電子有限公司


64    低溫燒結超低溫寬溫穩定性電容器陶瓷及制備方法 

根據化學(xué)式0.8Pb[(Fe2/3W1/3)1?xTix]O3?0.2BiFeO3稱(chēng)取Fe2WO6粉體與PbO、Bi2O3、Fe2O3和TiO2作為起始原料,將起始材料通過(guò)球磨、預燒、研碎后加入聚乙烯醇水溶液造粒,造粒后在保溫排膠,最后保溫后隨爐自然冷卻至室溫,本介質(zhì)采用常規的固相法陶瓷電容器介質(zhì)制備工藝即可進(jìn)行制備,操作方法簡(jiǎn)單,容易實(shí)施。    西安交通大學(xué)


65    用于高容高壓MLCC的陶瓷介質(zhì)材料及其制備方法

陶瓷介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域。其包括質(zhì)量分數為96~98%的主晶相成分和質(zhì)量分數為2~4%的改性添加物。主晶相成分包括Ca、Y摻雜的BaTiO3,改性添加物選自ZrO2、MnCO3、MgO、Y2O3、Yb2O3、ZnO、Er2O3、La2O3、SiO2中的一種或多種。先通過(guò)固相合成法得到預先摻雜Ca、Y的BaTiO3主晶相,然后加入一定的改性添加物球磨得到陶瓷介質(zhì)材料,其介電常數介于4000~4500之間,能夠制備出容量為100nF,直流耐壓大于50V的高容高壓的優(yōu)質(zhì)多層陶瓷電容器,符合X7R特性要求、及MLCC高性能、賤金屬化發(fā)展趨勢的要求,具有廣闊的市場(chǎng)應用前景。    廈門(mén)松元電子有限公司


66    無(wú)線(xiàn)充電用積層式陶瓷電容器的制備方法

要點(diǎn)是:包括以下步驟:S1、陶瓷漿料制備;S2、陶瓷生片的制備;S3、印刷疊層:以矩形陶瓷生片一側長(cháng)邊為印刷基準邊,在矩形陶瓷生片上表面印刷出矩形內電極區,矩形內電極區與矩形陶瓷生片邊沿之間形成非電極區,從而在矩形陶瓷生片上表面形成內電極,再以?xún)入姌O交錯的方式將后一片矩形陶瓷生片疊于前一片矩形陶瓷生片印刷有內電極的表面,循環(huán)層疊至要求的層數;S4、疊層靜壓;S5、切割;S6、排膠;S7、燒結;S8、端頭處理,本發(fā)明具有加工產(chǎn)品良率高,所加工的電容器單體電容量高、電流傳輸發(fā)熱量小的優(yōu)點(diǎn)。    如東寶聯(lián)電子科技有限公司


67    寬工作溫區高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料及制備方法 

化學(xué)通式為Na0.5Bi4.5Ti4?xMgyO15?2x+y,其中x=0~0.08,y=0.04~0.08。另外本發(fā)明還提供了該寬工作溫區高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料的制備方法。本發(fā)明對現有的鈣鈦礦結構的無(wú)鉛壓電陶瓷進(jìn)行改性,通過(guò)Mg替代Ti或在Ti位摻Mg合成單相新型材料,相對于現有未摻Mg的無(wú)鉛壓電陶瓷材料而言,本發(fā)明的寬工作溫區高介電性能的無(wú)鉛電子陶瓷材料具有高介電常數和較低的最小介電損耗,同時(shí)通過(guò)改變摻Mg的量可得到具有不同性能陶瓷片,從而可應用于不同性能要求的器件中,應用范圍廣。


68    高擊穿場(chǎng)強和儲能密度二氧化硅摻雜鈦酸銅鎘巨介電陶瓷材料及制備方法  

先采用溶膠?凝膠法制備前驅粉體,并將前驅粉體在較低溫度下煅燒,得到能在分子水平上混合且均勻性較好、活性高的CdCu3Ti4O12陶瓷粉體,然后向陶瓷粉體中加入二氧化硅粉,經(jīng)球磨、造粒、壓片、排膠、燒結制備而成。本發(fā)明陶瓷材料的制備方法簡(jiǎn)單、反應溫度較低、重復性好、成品率高,且陶瓷材料的介電性能優(yōu)良,其擊穿場(chǎng)強可高達895~2352V/cm、儲能密度0.712~1.77mJ/cm3,具有廣泛的應用前景。    陜西師范大學(xué)

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